SQD35N05-26L-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Sem chumbo / acordo com RoHS
Produtos semicondutores discretos
SQD35N05-26L-GE3.pdf

1.Por favor, confirme o detalhe que inclui o número da peça e o fabricante dos produtos ao fazer o pedido.
2.Se você tiver uma lista de lista de materiais (BOM), é necessário citar. Você pode enviar para o nosso e-mail.
3.Você pode nos enviar um email para alterar os detalhes do pedido antes do envio.
4.Os pedidos não podem ser cancelados após o envio dos pacotes.

Request Quote

Especificações
Rever
Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

VGS (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	TO-252, (D-Pak)
Série:	TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:	20 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):	50W (Tc)
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	1175pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:	18nC @ 5V
Tipo FET:	N-Channel
Característica FET:	-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):	55V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:	30A (Tc)

Se você obteve compostos errados, o que não é encomendado. Vamos pesquisar que assumiremos a responsabilidade sobre o problema.

Se for nosso, entregaremos os componentes certos para trocar mercadorias depois que recebemos compensadores errados de volta.

Se for seu, o cliente assumirá a responsabilidade sobre isso. Para detalhes, entre em contato com nosso atendimento ao cliente ou vendas.

SQD35N05-26L-GE3

Request Quote

Processo de compras

Produtos relacionados

Adivinha que você pode procurar