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SIHW73N60E-GE3

SIHW73N60E-GE3
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Processo de compras

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AD
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:39 mOhm @ 36A, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7700pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:362nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:73A (Tc)


Se você obteve compostos errados, o que não é encomendado. Vamos pesquisar que assumiremos a responsabilidade sobre o problema.
Se for nosso, entregaremos os componentes certos para trocar mercadorias depois que recebemos compensadores errados de volta.
Se for seu, o cliente assumirá a responsabilidade sobre isso. Para detalhes, entre em contato com nosso atendimento ao cliente ou vendas.