CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Sem chumbo / acordo com RoHS
Produtos semicondutores discretos

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Especificações
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Embalagem

VGS (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Max):	-6V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	4-DSBGA (1x1)
Série:	NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):	1W (Ta)
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	4-UFBGA, DSBGA
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	512pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
Tipo FET:	P-Channel
Característica FET:	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):	1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):	12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)