NVD6828NLT4G-VF01

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Especificações
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Forma de pagamento
Remessa
Embalagem

VGS (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	DPAK
Série:	-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:	20 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):	3.8W (Ta), 83W (Tc)
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	2900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:	61nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Característica FET:	-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):	90V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:	8.7A (Ta), 41A (Tc)